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國(guó)硅集成650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片NSG6000的應(yīng)用，可替代InfineonIR210X
一、概述
NSG6000半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能，防止高低側(cè)直通。具有較強(qiáng)的VS負(fù)偏壓、負(fù)過(guò)沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
二、主要特征
PIN2PIN替換InfineonIR210X
最高芯片耐壓650V
兼容3.3V，5V，15V輸入邏輯
Vs負(fù)偏壓能力達(dá)-9V
放
防直通保護(hù)：
——死區(qū)時(shí)間130ns
欠壓鎖定
——VCC欠壓鎖定閥值8.7V/7.7V
——VBS欠壓鎖定閥值8.2V/7.3V
驅(qū)動(dòng)電流能力：
—─拉電流/灌電流=0.6A/1A
SOP8封裝
三、電路
.png)
四、NSG6000半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)用推薦
五、NSG6000半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片冰箱應(yīng)用電路
六、NSG6000-VS負(fù)偏壓測(cè)試數(shù)據(jù)
七、NSG6000 + NCE06ER65BK Switching測(cè)試
八、NSG6000-與競(jìng)品參數(shù)對(duì)比
| 項(xiàng)目 | NSG6000 | XX2206 | XX2304 |
| UVLO+(V) | 8.80 | 8.85 | 9.03 |
| UVLO-(V) | 7.80 | 8.18 | 8.23 |
| lo+(A) | 0.56 | 0.27 | 0.37 |
| lo-(A) | 1.17 | 0.36 | 0.72 |
| Iq(uA) | 68 | 160 | 208 |
國(guó)硅產(chǎn)品相比市場(chǎng)上同類(lèi)型號(hào)產(chǎn)品：
——電流能力更大，可以驅(qū)動(dòng)電流能力更大的功率管；
——靜態(tài)電流更低，更低的功耗。
九、NSG6000半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片拉灌電流測(cè)試數(shù)據(jù)
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