NSG2061Q NSG2063Q NSG2065Q可以替代FD6288Q半橋柵極驅動芯片
大家都知道FD6288T&Q一款集成了三個獨立的半橋柵極驅動集成電路芯片，專為高壓、高速驅動MOSFET設計，可在高達+250V電壓下工作。國硅集成的半橋柵極驅動芯片NSG2061Q/NSG2063Q/NSG2065Q可以替代這個FD6288Q，
NSG2061Q是三相橋驅動芯片，高低側同相，浮地通道最高工作電壓可達250V，輸出拉電流/灌電流能力為1.5A/1.8A，兼容3.3V/5V輸入邏輯，具有防直通死區(qū)邏輯和欠壓鎖定功能，封裝為QFN24。FD6288Q也是三相橋驅動芯片，懸浮絕對電壓250V，輸出電流+1.5A/-1.8A，電源電壓工作范圍5.0-20V，同樣兼容3.3V/5V輸入邏輯，內置欠壓保護、直通防止和死區(qū)時間控制。兩者的主要參數(shù)和功能高度一致，因此NSG2061Q可以替代FD6288Q。
NSG2065Q與FD6288Q對比：NSG2065Q是三相高壓功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，浮動通道驅動設計可容納總線電壓高達250V，輸出拉灌電流可以達到 1.2A/1.5A，工作電壓范圍寬，高、低側柵極驅動電壓都可經優(yōu)化以達到最佳驅動效率，內部防直通和死區(qū)電路可以防止兩個晶體管同時導通，欠壓鎖定功能確保了當供電電壓較低時，兩個驅動器輸出都是低電平，集成自舉二極管，可最大優(yōu)化芯片外圍電路。可以作為替代方案。
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