芯朋微6-8W內(nèi)置1000V-MOS管超低待機(jī)功耗

交直流電源管理芯片-PN8143T

一、概述

芯朋微PN8143T電源管理芯片內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功

能，包括周期式過(guò)流保護(hù)（外部可調(diào)）、過(guò)載保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、CS短路保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。通過(guò)Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率調(diào)節(jié)模式混合技術(shù)和特殊器件低功耗

結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的最佳效率。良好的EMI表現(xiàn)由頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證。該芯片還內(nèi)置智能高壓?jiǎn)?dòng)模塊。PN8143T為需要超低待機(jī)功

耗的高性價(jià)比反激式開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)提供了一個(gè)先進(jìn)的實(shí)現(xiàn)平臺(tái)，非常適合智能電表、Eur2.0、能源之星的應(yīng)用。

二、特性

內(nèi)置1000V高雪崩能力的功率MOSFET

Hi-mode（60kHz PWM）

Eco-mode（動(dòng)態(tài)PFM）

Burst-mode （25kHz間歇工作模式）

改善EMI的頻率調(diào)制技術(shù)

空載待機(jī)功耗<50mW@230VAC

軟啟動(dòng)技術(shù)

內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路

內(nèi)置線電壓補(bǔ)償和斜坡補(bǔ)償

優(yōu)異全面的保護(hù)功能

  過(guò)溫保護(hù)（OTP）

  過(guò)載保護(hù)（OLP）

  外部電阻可調(diào)式周期過(guò)流保護(hù)（OCP）

  過(guò)壓保護(hù)（OVP）

  CS短路保護(hù)

三、應(yīng)用領(lǐng)域

開(kāi)關(guān)電源適配器

白色家電、個(gè)人電腦、音響等輔助電源

智能電表

四、封裝訂購(gòu)信息

五、典型電路

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