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國硅集成G2063Q 250V1.5A三相高低側功率MOSFET/IGBT電機驅動芯片
G2063Q是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片，采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。G2063Q邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力，和防直通的死區邏輯。
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國硅集成NSG2065Q 250V 集成自舉的三相柵極驅動芯片
NSG2065Q是一款三相高壓功率MOSFET和IGBT 柵極驅動器，可以同時驅動高側和低側功率晶體管的柵極。浮動通道驅動設計可以容納總線電壓高達250V。NSG2065Q輸出能夠提供較大的驅動能力，輸出拉灌電流可以到達1.2A/1.5A。NSG2065Q工作電壓范圍寬，高、低側柵極驅動電壓都可經優化以達到最...
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國硅集成NSG6003 650V 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片
NSG6003是一款高壓、高速功率 MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。NSG6003采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG6003其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET，浮地通道最高...
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國硅集成NSG6001 650V 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片
NSG6001是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。NSG6001采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG6001其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工...
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國硅集成NSG6000R 650V 單相高低側功率 MOSFET 驅動芯片
NSG6000R是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道，適用于5A以內MOS的直接驅動。NSG6000R采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG6000R 其浮動通道可用于驅動高壓側...
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國硅集成NSG2106 700V 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片
NSG2106是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。NSG2106采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG2106其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工...
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國硅集成NSG2105 700V 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片
NSG2105是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。NSG2105采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG2105其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工...
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國硅集成NSG2104 700V 集成自舉單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片
NSG2104是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。NSG2104采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。 NSG2104其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率 MOSFET，浮地通道最...
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國硅集成NSG2103 700V 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片
NSG2103是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。NSG2103 采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG2103其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET，浮地通道最高...
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