國(guó)硅集成250V 1.2A單相高低側(cè)柵國(guó)產(chǎn)柵極驅(qū)動(dòng)芯片-G2021

G2021是一組高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。G2021采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力和防直通的死區(qū)邏輯G2021其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率M...

國(guó)硅集成NSG2136 700V帶使能和故障報(bào)告的三相半橋驅(qū)動(dòng)芯片

NSG2136是N型高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片，包含三路獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)電路。內(nèi)部集成了欠壓保護(hù)和過(guò)流保護(hù)功能，出現(xiàn)異常時(shí)立即關(guān)斷六通道輸出。提供外部使能控制可同時(shí)關(guān)斷六通道輸出。通過(guò)連接到RCIN輸入的RC網(wǎng)絡(luò)在外部編程延時(shí)后，過(guò)電流故障情況自動(dòng)清除。

國(guó)硅集成NSG2000 250V、快速、高壓側(cè) NMOS 靜態(tài)開(kāi)關(guān)常導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)芯片

NSG2000是一款快速、高壓側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，采用高達(dá)250V的輸入電壓工作。該器件可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)負(fù)責(zé)全面增強(qiáng)外部N溝道MOSFET開(kāi)關(guān)的充電結(jié)構(gòu)，因而使其能夠無(wú)限期地保持導(dǎo)通。

國(guó)硅集成G2063Q 250V1.5A三相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片

G2063Q是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片，采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。G2063Q邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力，和防直通的死區(qū)邏輯。

國(guó)硅集成NSG2065Q 250V 集成自舉的三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片

NSG2065Q是一款三相高壓功率MOSFET和IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器，可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)功率晶體管的柵極。浮動(dòng)通道驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)可以容納總線電壓高達(dá)250V。NSG2065Q輸出能夠提供較大的驅(qū)動(dòng)能力，輸出拉灌電流可以到達(dá)1.2A/1.5A。NSG2065Q工作電壓范圍寬，高、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電壓都可經(jīng)優(yōu)化以達(dá)到最...

國(guó)硅集成NSG2153D 600V 自振蕩半橋 MOSFET/IGBT 電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片

NSG2153D 是一款高壓、高速功率 MOSFET 自振蕩 半橋驅(qū)動(dòng)芯片。 NSG2153D 其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高 低側(cè) N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高工作電壓可 達(dá) 600V。

NSG21867 國(guó)硅集成700V 大電流高、低側(cè) MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片

NSG21867 是一款高壓、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片，具有兩個(gè)獨(dú)立地傳輸通道。內(nèi)部集成了 高、低側(cè)欠壓鎖定電路、過(guò)壓鉗位電路等保護(hù)電路， 具備大電流脈沖輸出能力，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平，輸出電流能力 最大可達(dá) 4A，其浮...

國(guó)硅集成IPM智能功率模塊600V/5A三相全橋驅(qū)動(dòng)NSMC05S60B0

NSMC05S60B0是高度集成、高可靠性的三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，主要應(yīng)用于風(fēng)扇類(lèi)的小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)。該模塊內(nèi)置了6個(gè)快恢復(fù)功率IGBT管和3個(gè)半橋高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路。NSMC05S60B0 內(nèi)部集成了欠壓保護(hù)功能，提供了優(yōu)異的保護(hù)和失效保護(hù)操作。由于每一相都有一個(gè)獨(dú)立的負(fù)直流端，其電流可以分別單獨(dú)檢測(cè)。NS...

國(guó)硅集成IPM智能功率模塊500V/5A三相全橋驅(qū)動(dòng)NSMB05S50M1

NSMB05S50M1 是高度集成、高可靠性的三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，主要應(yīng)用于風(fēng)扇類(lèi)的小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

國(guó)硅集成IPM智能功率模塊500V/5A三相全橋驅(qū)動(dòng)NSMB05S50M0

NSMB05S50M0 是高度集成、高可靠性的三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，主要應(yīng)用于風(fēng)扇類(lèi)的小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

國(guó)硅集成IPM智能功率模塊600V/2A三相全橋驅(qū)動(dòng)NSMB02S60M1

NSMB02S50M1是高度集成、高可靠性的三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，主要應(yīng)用于風(fēng)扇類(lèi)的小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)。該模塊內(nèi)置了6個(gè)快恢復(fù)功率MOS管和3個(gè)半橋高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路。

國(guó)硅集成IPM智能功率模塊600V/2A三相全橋驅(qū)動(dòng)NSMB02S60M0

NSMB02S60M0 是高度集成、高可靠性的三相無(wú)刷直流 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，主要應(yīng)用于風(fēng)扇類(lèi)的小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)。該 模塊內(nèi)置了 6 個(gè)快恢復(fù)功率 MOS 管和 3 個(gè)半橋高壓柵極 驅(qū)動(dòng)電路。

國(guó)硅集成IPM智能功率模塊500V/2A三相全橋驅(qū)動(dòng)NSMB02S50M1

NSMB02S50M1是高度集成、高可靠性的三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，主要應(yīng)用于風(fēng)扇類(lèi)的小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)。該模塊內(nèi)置了6個(gè)快恢復(fù)功率MOS管和3個(gè)半橋高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路。

國(guó)硅集成電路代理商N(yùn)SH406M1PQ 4A 600V半橋IPM智能功率模塊

NSH505PQ is a 5A,500V half-brigde intelligence power module designed for motor drive applications, integrated 5A/500V MOSFET gate driver and bootstrap func...

國(guó)硅集成電路代理商N(yùn)SH305PQ 3A, 500V半橋IPM智能功率模塊

NSH305PQ is a 3A,500V half-brigde intelligence powermodule designed formotor drive applications, integrated 3A/500V MOSFET gate driver and bootstrap functi...

國(guó)硅集成NSG6003 650V 單相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片

NSG6003是一款高壓、高速功率 MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。NSG6003采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG6003其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率MOSFET，浮地通道最高...

國(guó)硅集成NSG6001 650V 單相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片

NSG6001是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。NSG6001采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG6001其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工...

國(guó)硅集成NSG6000R 650V 單相高低側(cè)功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)芯片

NSG6000R是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道，適用于5A以?xún)?nèi)MOS的直接驅(qū)動(dòng)。NSG6000R采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG6000R 其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)...

國(guó)硅集成NSG2106 700V 單相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片

NSG2106是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。NSG2106采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG2106其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工...

國(guó)硅集成NSG2105 700V 單相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片

NSG2105是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。NSG2105采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG2105其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工...