國硅集成250V 1.2A單相高低側(cè)柵國產(chǎn)柵極驅(qū)動(dòng)芯片-G2021

G2021是一組高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。G2021采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力和防直通的死區(qū)邏輯G2021其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率M...

國硅集成NSG2136 700V帶使能和故障報(bào)告的三相半橋驅(qū)動(dòng)芯片

NSG2136是N型高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片，包含三路獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)電路。內(nèi)部集成了欠壓保護(hù)和過流保護(hù)功能，出現(xiàn)異常時(shí)立即關(guān)斷六通道輸出。提供外部使能控制可同時(shí)關(guān)斷六通道輸出。通過連接到RCIN輸入的RC網(wǎng)絡(luò)在外部編程延時(shí)后，過電流故障情況自動(dòng)清除。

國硅集成NSG2000 250V、快速、高壓側(cè) NMOS 靜態(tài)開關(guān)常導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)芯片

NSG2000是一款快速、高壓側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，采用高達(dá)250V的輸入電壓工作。該器件可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)負(fù)責(zé)全面增強(qiáng)外部N溝道MOSFET開關(guān)的充電結(jié)構(gòu)，因而使其能夠無限期地保持導(dǎo)通。

國硅集成G2063Q 250V1.5A三相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片

G2063Q是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片，采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。G2063Q邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力，和防直通的死區(qū)邏輯。

國硅集成NSG2153D 600V 自振蕩半橋 MOSFET/IGBT 電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片

NSG2153D 是一款高壓、高速功率 MOSFET 自振蕩 半橋驅(qū)動(dòng)芯片。 NSG2153D 其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高 低側(cè) N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高工作電壓可 達(dá) 600V。

NSG21867 國硅集成700V 大電流高、低側(cè) MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片

NSG21867 是一款高壓、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片，具有兩個(gè)獨(dú)立地傳輸通道。內(nèi)部集成了 高、低側(cè)欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護(hù)電路， 具備大電流脈沖輸出能力，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平，輸出電流能力 最大可達(dá) 4A，其浮...

國硅集成NSG27511單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片

NSG27511單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可有效驅(qū)動(dòng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）和絕緣柵極雙極型晶體管（IGBT）電源開關(guān)。NSG27511采用的設(shè)計(jì)方案可最大程度減少擊穿電流，從而為電容負(fù)載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖，同時(shí)提供到軌驅(qū)動(dòng)能力以及超短的傳播延遲。

國硅集成NSG2065 250V集成自舉的三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片

NSG2065是一款三相高壓功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)功率晶體管的柵極。浮動(dòng)通道驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)可以容納總線電壓高達(dá)250V。NSG2065輸出能夠提供較大的驅(qū)動(dòng)能力，輸出拉灌電流可以到達(dá)1.2A/1.5A。NSG2065工作電壓范圍寬，高、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電壓都可經(jīng)優(yōu)化以達(dá)到最佳驅(qū)動(dòng)效...

國硅集成G2061Q 250V 1.5A三相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片

G2061Q是一組高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片，采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。G2061Q邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力，和防直通的死區(qū)邏輯。G2061Q 浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N...

國硅集成NSG21364 700V 帶使能和故障報(bào)告的三相半橋 IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片

NSG21364是N型高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片，包含三路獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)電路。內(nèi)部集成了欠壓保護(hù)和過流保護(hù)功能，出現(xiàn)異常時(shí)立即關(guān)斷六通道輸出。提供外部使能控制可同時(shí)關(guān)斷六通道輸出。通過連接到RCIN輸入的RC網(wǎng)絡(luò)在外部編程延時(shí)后，過電流故障情況自動(dòng)清除 。NSG21364集成有...

國硅集成NSG10752 100V 單相高側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片

NSG10752是一款高壓、高速功率MOSFET高側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片NSG10752采用高低壓兼容工藝使得高側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力。NSG10752其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達(dá)10...

國硅集成NSG27519 4A 帶使能的單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片

NSG27519是一款低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵驅(qū)動(dòng)器。專有的閂鎖免疫CMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高魯棒性的單芯片集成結(jié)構(gòu)。NSG27519邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。輸出驅(qū)動(dòng)器具有寬VDD范圍、帶滯后的欠壓鎖定和輸出電流緩沖級(jí)。可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作...

國硅集成代理商N(yùn)SG27324雙通道4A超高速功率柵極驅(qū)動(dòng)芯片

NSG27324 是功率開關(guān)系列驅(qū)動(dòng)器。在對(duì)功率開關(guān)的柵極進(jìn)行充電和放電時(shí)，它具有匹配的上升和下降時(shí)間。NSG27324在其額定功率和電壓范圍內(nèi)的任何條件下都具有高度的鎖存抵抗能力。當(dāng)接地引腳上出現(xiàn)高達(dá)5V的噪聲尖峰（任一極性）時(shí)，NSG27324不會(huì)受到損壞。NSG27324可以接受高達(dá)500mA的反向電流...

國硅集成NSG4428 雙通道 2A 超高速功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)芯片

NSG4428是功率開關(guān)系列驅(qū)動(dòng)器。在對(duì)功率開關(guān)的柵極進(jìn)行充電和放電時(shí)，它具有匹配的上升和下降時(shí)間。NSG4428芯片在其額定功率和電壓范圍內(nèi)的任何條件下都具有高度的鎖存抵抗能力。當(dāng)接地引腳上出現(xiàn)高達(dá)5V的噪聲尖峰（任一極性）時(shí)，NSG4428芯片不會(huì)受到損壞。NSG4428 芯片可以接受高達(dá)500mA的反向...

國硅集成授權(quán)代理商N(yùn)SG4427 雙通道 2A 超高速功率柵極驅(qū)動(dòng)器

NSG4427 是功率開關(guān)系列驅(qū)動(dòng)器。在對(duì)功率開關(guān)的柵極進(jìn)行充電和放電時(shí)，它具有匹配的上升和下降時(shí)間。NSG4427在其額定功率和電壓范圍內(nèi)的任何條件下都具有高度的鎖存抵抗能力。當(dāng)接地引腳上出現(xiàn)高達(dá)5V的噪聲尖峰（任一極性）時(shí)，NSG4427不會(huì)受到損壞。NSG4427可以接受高達(dá)500mA的反向電流強(qiáng)制返回...

國硅集成代理商N(yùn)SG4426 雙通道 2A 超高速功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器

NSG4426 是功率開關(guān)驅(qū)動(dòng)器。在對(duì)功率開關(guān)的柵極進(jìn)行充電和放電時(shí)，它具有匹配的上升和下降時(shí)間。NSG4426 在其額定功率和電壓范圍內(nèi)的任何條件下都具有高度的鎖存抵抗能力。當(dāng)接地引腳上出現(xiàn)高達(dá)5V的噪聲尖峰（任一極性）時(shí)，NSG4426 不會(huì)受到損壞。NSG4426可以接受高達(dá)500mA的反向電流強(qiáng)制返回...